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        HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備

        HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備

        簡要描述:

        HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備通過對烘箱預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

        HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備簡介:

        HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備通過對烘箱預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

        的重要性:

        在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后,經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。

        技術參數:

        1設備名稱

        HMDS預處理系統

        2、設備型號

        JS-HMDS90

        3、設備主要技術參數                                                          

        3.1 工作室尺寸

         450×450×450(mm) 可選其他數據

        3.2  材質

         外箱采用304不銹鋼,內箱采用316L醫用級不銹鋼

        3.3 溫度范圍

         RT+10-250℃

        3.4 溫度分辨率

         0.1℃

        3.5 溫度控制精度

         ±0.3%

        3.6 真空度

         133pa(1torr)

        3.7 潔凈度

         class 100,設備采用無塵材料,適用100級光刻間凈化環境

        3.8電源及總功率

         AC 220V±10% / 50HZ       總功率約2.0KW    

        3.9 控制儀表

         人機界面

        3.10擱板層數

         2層

        3.11 HMDS流量控制

         可控制HMDS流量

        3.11真空泵

         油泵或干泵

        3.12 保護裝置

         漏電保護,過熱保護

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